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新聞動(dòng)態(tài)
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CASA聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)獲評(píng)2025年北京市高質(zhì)量團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）動(dòng)態(tài)反偏(DRB)試驗(yàn)方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，被評(píng)為2025年度高質(zhì)量團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。
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綠色榮耀，智造未來！國星半導(dǎo)體成功獲評(píng)“廣東省省級(jí)綠色工廠”10-17
近日，廣東省工業(yè)和信息化廳公布省級(jí)綠色制造名單，國星光電全資子公司國星半導(dǎo)體憑借在綠色制造、節(jié)能環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域的扎 -
天成半導(dǎo)體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料10-17
天成半導(dǎo)體官微宣布，繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后，又依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜厚。 -
新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長(zhǎng)最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體10-17
新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長(zhǎng)最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體
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政策法規(guī)
Policies regulations
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北京新政：加快推進(jìn)北京專精特新專板建設(shè)，推動(dòng)更多優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目落地據(jù)悉，近日，北京印發(fā)《關(guān)于進(jìn)一步推動(dòng)首都高質(zhì)量發(fā)展取得新突破的行動(dòng)方案（20232025年）》（以下簡(jiǎn)稱《行動(dòng)方案》），明確提出2023-08-25 -
《順義區(qū)促進(jìn)高端制造業(yè)和先進(jìn)軟件信息業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的扶持辦法》重磅發(fā)布為推動(dòng)北京創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)集群示范區(qū)高質(zhì)量發(fā)展，打造全市“高精尖”產(chǎn)業(yè)主陣地，近期，順義區(qū)經(jīng)信局發(fā)布了創(chuàng)新性更強(qiáng)、含金量更高的《順義區(qū)促進(jìn)高端制造業(yè)和先進(jìn)軟件信息業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的扶持辦法》，包括推動(dòng)項(xiàng)目落地、穩(wěn)產(chǎn)擴(kuò)產(chǎn)等五大重點(diǎn)領(lǐng)域，共二十一條內(nèi)容，總預(yù)算達(dá)3.5億元。2023-03-07
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北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會(huì)關(guān)于組織開展2023年度科技型中小企業(yè)評(píng)價(jià)工作的通知北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會(huì)關(guān)于組織開展2023年度科技型中小企業(yè)評(píng)價(jià)工作的通知2023-03-06
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北京：發(fā)布<2023年北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金實(shí)施指南>的通知（征求意見稿）》公開征集意見的通知為改善中小企業(yè)發(fā)展環(huán)境，促進(jìn)中小企業(yè)健康、高質(zhì)量發(fā)展，明確北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金年度重點(diǎn)支持的領(lǐng)域和方向，根據(jù)《北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金管理辦法》，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局牽頭制訂了關(guān)于發(fā)布《2023年北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金實(shí)施指南》的通知（征求意見稿），現(xiàn)向社會(huì)公開征求意見。公開征集意見時(shí)間為：2023年2月23日至2月27日。2023-02-24
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北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會(huì)關(guān)于印發(fā) 《北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)及技術(shù)經(jīng)理人登記辦法》的通知政策解讀：《北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)及技術(shù)經(jīng)理人登記辦法》政策解讀2022-10-08
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北京智創(chuàng)華科半導(dǎo)體研究院有限公司（簡(jiǎn)稱“智創(chuàng)華科”）于2018年12月29日在順義區(qū)正式注冊(cè)成立，由中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟和中關(guān)村半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等共同發(fā)起成立，旨在聯(lián)合其優(yōu)勢(shì)資源，實(shí)現(xiàn)技術(shù)研發(fā)、標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)和技術(shù)服務(wù)等創(chuàng)新要素的集聚，建立一流的、開放的、可持續(xù)發(fā)展的第三代半導(dǎo)體綜合性科技服務(wù)平臺(tái)。
核心運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)具有扎實(shí)的專業(yè)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，積累了對(duì)半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的深入理解，建立了深厚的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)和專家資源，在國家科研項(xiàng)目管理、科研成果轉(zhuǎn)化孵化、技術(shù)轉(zhuǎn)移、標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)認(rèn)證、產(chǎn)業(yè)咨詢等方面有豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。
智創(chuàng)華科致力于成為支撐我國在半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體上游取得核心技術(shù)的突破、中游取得國際領(lǐng)先地位、下游應(yīng)用在民用及軍工領(lǐng)域擺脫國外封鎖的有力抓手；積極承接北京市、順義區(qū)第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體第三方平臺(tái)建設(shè)任務(wù)，用3-5年時(shí)間，將研究院打造成為支撐第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的綜合性科技服務(wù)平臺(tái)，為第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、企業(yè)集聚、項(xiàng)目對(duì)接、人才招引、生態(tài)建設(shè)等提供全方位支撐服務(wù)。
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